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E波段SIP毫米波解决方案

    毫米波 芯片一般都是采用传统的Bonding装配技术,这样可 以保证最佳性能,但是对工艺要求高,bonding上细微 失误可能性能就出不来。
 
    随着5G应用的开展,设备商 对毫米波数据回传提出越来越多的要求,Bonding工艺成本高,不便于大批量生产,无法被设备商采纳,所以SIP(System In Package)技术是 一个非常好的选择。

  
图1:传统的金丝键合工艺                                                                  图2:Gotmic SIP评估板
 
Gotmic是一家专注于40-170GHz毫米波 商业化芯片的公司,在SIP技术上 开展了大量研究,并推出了毫米波SIP相关产品。


 
1. SMD E Band Tx/Rx
我们可 以将其直接做成SMD封装产品,性能最多只有0.5dB的牺牲,这在71-86GHz的毫米 波频段非常难得。
GMTX0016,内部GTSC0024, E1 Tx芯片;
GMTX0017,内部GTSC0025, E2 Tx芯片;
GMRX0014, 内部GRSC0017E1 RX芯片;
GMRX0015, 内部GRSC0018E2 RX芯片。

 
图3:E BAND SMD
 
SMD Tx和Rx体积都是15x12x3.75mm,中频IQ和LO本振采用Pin引脚,RF采用WR-12接口。

为了方便客户验证,Gotmic也可以提供评估板,IQ/LO采用SMA头,RF端口从 评估板背面提供WR-12标准波导接口。
 

图4:E BAND SMD封装

 
图5:E BAND SMD评估板正反面
 
2. SMD PA产品
这些裸 芯片需要金丝键合微组装的,Gotmic同样可以提供SMD的功率放大器产品。GMPA0031/32/35分别对应GAPZ0081/82/85产品,性能同样只有0.5dB左右的牺牲。
 

图6: SMD PA产品
 
SMD功率放大器,可以配合前级SMD GaAs多功能产品使用,也可以作为SiGe/CMOS封装产 品的外挂功率放大器。
 

图7:SMD PA与前级芯片组合
 
3. 大功率SIP发射产品
前面介绍了SMD Tx和SMD PA产品,我们也可以将Tx和PA封装在一起,输出功率高达+27dBm,OIP3高达+39dBm。
 

图8:E BAND高功率SIP                                                             图9:E BAND 高功率SIP
 
 
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